Los objetivos del TFM son:

     Completar el modelo capacitivo para gran señal del DG-MOSFET,
    desarrollado durante el PFC
         
     Incluir los efectos de canal corto en la corriente modelada de DG-MOSFET
         
     Estudio de materiales alternativos a emplear en la puerta del transistor, con el
    fin  de reducir la tensión umbral del mismo.
         
     Comparativa de la rectificación con DG-MOSFETs y tecnología CMOS
     convencional (Texas Instruments, UMC-90nm). 

• Presidente: Antonio Núñez Ordóñez
• Secretario: Fernando de la Puente Arrate
• Vocal: Francisco Javier del Pino Suárez