Congreso internacional de nuevos dispositivos electrónicos organizado por el IUMA, 22-24 de mayo

El IUMA organiza la 41 edición del Congreso Internacional de Dispositivos y Circuitos Integrados en Materiales Semiconductores Compuestos, WOCSDICE 2017. Tiene lugar en el Hotel AC, junto al museo Elder de la capital, del 22 al 24 de mayo. El Presidente del Congreso es Benito González, del IUMA. Co-presiden el congreso los profesores Dimitris Pavlidis (Boston University y National Science Foundation, EEUU) y Hans Hartnagel (Universität Darmstadt, Alemania).

Este congreso es el más antiguo y pionero en la electrónica no basada en Silicio (elemento del grupo IV de la tabla periódica), es decir con sistemas materiales compuestos de elementos de los grupos III-V o II-VI, o diversas combinaciones incluyendo otros elementos del grupo IV como el Carbono (Grafeno, Diamante). Estos materiales semiconductores se caracterizan por una elevada separación de niveles de energía de los electrones entre sus orbitales de valencia y sus orbitales de conducción, y están llamados a dominar el mercado de aplicaciones de alta potencia en conversión eléctrica, radiofrecuencia, células solares, láseres o LEDs.

Entre los temas a examinar con resultados más llamativos se encuentran los dispositivos sobre Grafeno, los dispositivos sobre Diamante, los dispositivos de Telurio-Cadmio-Mercurio para paneles fotovoltaicos de muy alta eficiencia, los sensores basados en nitruros, los amplificadores de potencia eléctrica para convertidores-cargadores y vehículos eléctricos basados en nitruro de galio, los amplificadores de radiofrecuencia basados en nitruros de galio y aluminio, los láseres, los LEDs azules y blancos etc.

A lo largo de los tres días se expondrán 8 presentaciones destacadas principales a cargo de personalidades científicas de EEUU (5), Taiwán, Holanda, y España, y 59 presentaciones regulares remitidas por 219 autores, entre ellas dos trabajos de científicos del IUMA, del grupo dirigido por Benito González y del grupo dirigido por Javier del Pino. Hasta la fecha se han inscrito 70 participantes de 17 países: EEUU, 13 países europeos incluidos el Reino Unido, Rusia y Bielorrusia, y 3 países asiáticos Japón, India y Taiwán.

Por países los delegados se distribuyen de la siguiente manera: Alemania y España (Península) 8 participantes, EEUU, Francia e Italia 6, Reino Unido y Eslovaquia 5, Japón, Bélgica, Austria y Bielorrusia 3, Portugal 2, Rusia, India, Taiwán, Holanda y Polonia 1, y 7 participantes de Canarias. Por ámbitos, 37 son investigadores de universidades o institutos universitarios de investigación, 18 son de grandes centros de investigación científica estatales, y 15 son de industrias fabricantes.

El Comité Director de esta prestigiosa serie de congresos está formado por 19 científicos de las universidades ETH Zürich, Boston University, Texas State University, Cardiff University, Chalmers University of Technology, University of Bristol, RWTH Aachen, CNRS Francia, Technical University of Darmstadt, Universitá di Padova, Université de Lille, University of Toyama, Politécnica de Madrid, Slovak University of Technology, Universidade do Aveiro, Ferdinand Braun Institut, National Science Foundation of USA y National Foundation for Research and Technology-Hellas de Grecia.

En el congreso se presentan también resultados de los proyectos de investigación industrial internacional sobre Nitruros de Galio, AGATE y POWERBASE, en los que participan el IUMA, el Centro Nacional de Microelectrónica CNM e industrias españolas como GreenPower.

Los Institutos de Microelectrónica ISOM e IMM de Madrid y el IUMA de ULPGC han sido pioneros en España en la década de los 80 en obtener y diseñar dispositivos semiconductores compuestos III-V.

La información del programa y de detalles del congreso está disponible para ser descargada o consultada en:
Web oficial WOCSDICE 2017

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Las presentaciones principales son las siguientes:

• Prof. Edward Yi Chang (Taiwán) – InGaAs FinFET for Next Generation CMOS Application
• Dr. José L. Jiménez (EEUU) – Current Understanding of Basestation Linearity on GaN Power amplifiers and the influence of starting material
• Dr. Peter Offermans (Holanda) – GaN based gas sensing
• Prof. Michael Shur (EEUU) – THz Devices Using Graphene
• Dr. Yuanxun Ethan Wang (EEUU) – Non-Reciprocal, Parametric Amplification of Electromagnetic Waves for Future Generation of RF Front-Ends
• Prof. Timothy Grotjohn (EEUU) – Diamond Electronic Device Technology
• Dr. Pil Sung Park (EEUU) – Vertical transport in Metal/Graphene/AlGaN/GaN structure
• Prof. Benjamín Iñiguez (España) – Physically-Based Compact Modeling of AlGaN/GaN HEMTs